LED（全稱：Light-Emitting Diode，發光二極管） 是一種能發光的半導體電子元件。這種電子元件早期只能發出低光度的紅光，之后發展出其他單色光的版本，時至今日能發出的光已遍及可見光、紅外線及紫外線，光度也提高到相當的光度。隨著技術的不斷進步，LED已被廣泛的應用于顯示器、電視機采光裝飾和照明等領域。在市場需求與技術進步的推動之下，LED經歷了一段輝煌的歷史。在此，編輯與您共同回顧LED發展歷程。

　　1907年，Henry Joseph Round發現作為研磨劑的碳化硅晶體（SiC）通電后可以發光的現象。這種現象被發現之后，人們就對SiC和Ⅱ-Ⅳ族化合物半導體的礦物質發光現象展開研究。

　　1936年，George Destiau出版了一個關于硫化鋅粉未來發光的報告。隨著研究的深入，最終出現了“電致發光”這個術語。

　　1952年，人工合成的Ge、Si 晶體的pn結發光誕生。1954年，開始制作、研究GaP單晶和GaAs單晶的性能。

　　1955年，美國無線電公司（Radio Corporation of America）的魯賓？布朗石泰（Rubin Braunstein）首次發現了砷化鎵（GaAs）及其他半導體合金的紅外放射作用。

　　1962年，GE、Monsanto、IBM 的聯合實驗室開發出了發紅光的磷砷化鎵（GaAsP）半導體化合物，從此可見發光二極管步入了商業化的發展歷程。

　　1965年，全球第一款商業化發光二級管誕生，它是用鍺材料做成的可發出紅外光的LED，當時的單價約為45美元。其后不久，Monsanto和惠普公司推出了用GaAsp材料制作的商業化紅色LED。這種LED的效率大約為0.1 lm/w，比一般的60-100w白織燈的15 lm/w要低100多倍。

　　1968年，LED的研發取得了突破性進展，利用氮摻雜工藝使GaAsP器件的效率達到了1 lm/w，并且能夠發出紅光、橙光和黃光。1971年，業界又推出了具有相同效率的GaP綠色芯片LED。

　　1993年，在日本日亞化工（Nichia）工作的中村修二成功把氮滲入，發明了基于寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）和銦氮化稼（InGaN）的具有商業應用價值的藍光LED，這類LED在1990年代后期得到廣泛應用。

　　1997年，Schlotter和Nakamura等人先后發明了用藍光管芯加黃光熒光粉封裝成白光LED的技術。

　　繼氮化鎵LED之后，科學界隨即又制造出能產生高強度綠光和藍光的銦氮鎵LED。超亮度藍光芯片是白光LED的核心，在這個發光芯片上抹上熒光粉，然后熒光粉通過吸收來自芯片的藍色光源再轉化為白光。利用這種技術能制造出任何可見顏色的光。