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核心提示：
臺(tái)灣國(guó)立清華大學(xué)開發(fā)成功了幾乎所有工序均采用CMOS工藝的觸覺傳感器。
此次開發(fā)的傳感器中，手觸部分由帶保護(hù)膜的金屬薄膜構(gòu)成，這層薄膜與下面的金屬薄膜構(gòu)成電容器。手觸后，金屬薄膜間的距離變小、電容器容量發(fā)生變化。通過這種變化實(shí)現(xiàn)觸覺的感知。
為了實(shí)現(xiàn)CMOS工藝下的開發(fā)，犧牲層使用了金屬。這樣一來(lái)，金屬薄膜就會(huì)在犧牲層刻蝕階段被一同刻蝕處理掉，因此預(yù)先對(duì)最終所需要的金屬薄膜進(jìn)行了鈍化處理，以確保不被刻蝕處理。試制品使用了臺(tái)積電的2層聚合物4層金屬的0.35μm工藝。
此次開發(fā)的傳感器中，手觸部分由帶保護(hù)膜的金屬薄膜構(gòu)成，這層薄膜與下面的金屬薄膜構(gòu)成電容器。手觸后，金屬薄膜間的距離變小、電容器容量發(fā)生變化。通過這種變化實(shí)現(xiàn)觸覺的感知。
為了實(shí)現(xiàn)CMOS工藝下的開發(fā)，犧牲層使用了金屬。這樣一來(lái)，金屬薄膜就會(huì)在犧牲層刻蝕階段被一同刻蝕處理掉，因此預(yù)先對(duì)最終所需要的金屬薄膜進(jìn)行了鈍化處理，以確保不被刻蝕處理。試制品使用了臺(tái)積電的2層聚合物4層金屬的0.35μm工藝。
