網訊：“寬禁帶功率半導體”是指使用某一種寬禁帶半導體材料制成的功率半導體器件，是相對于硅半導體材料制成的硅功率半導體器件而言的。寬禁帶半導體材料中最有意義的是碳化硅、氮化鎵和氧化鋅半導體。為什么把它們稱為“寬禁帶”，是因為它們與硅材料相比在半導體十分重要的參數“禁帶寬度”上相差甚遠，這些材料的禁帶寬度在3.3到3.5電子伏之間，而硅單晶是1.21電子伏，前者是硅的3倍，所以稱為寬禁帶半導體材料。

相比，它不僅可以將光盤紀錄的信息量提高四倍以上，而且可以大大提高光信息的存取速度。雖然人們早就認識到氮化鎵的這一優點，但由于氮化鎵單晶材料制備上的困難以及難于生長出氮化鎵PN結。直至1985年通過先進的分子束外延方法才有改善了的氮化鎵材料投入應用；

研究獲重大突破

　　863計劃新材料領域“藍綠色垂直腔面發射半導體激光器”課題近日取得重大突破，在我國（除臺灣地區外）首次實現了室溫光泵條件下氮化物面發射激光器（VCSEL）的受激發射，所得器件重要性能指標超過了國際報道的最好水平。這標志著我國氮化物面發射激光器研究已進入世界先進行列。