英飛凌的MOSFET的新系列產品超越了現行歐盟RoHS指令對于含鉛焊錫封裝的規范，更嚴格的ELV符合RoHS標準可能將于2014年施行，屆時將要求采用完全無鉛的封裝方式。作為業界首款無鉛封裝MOSFET的，英飛凌的新產品讓客戶滿足更嚴格的要求。

　　英飛凌推出至無鉛封裝的汽車電源的MOSFET的新型40V的OptiMOS™T2的MOSFET

　　英飛凌汽車電子事業處標準電源產品副總裁暨總經理弗蘭克Schwertlein且符合RoHS環保之MOSFET，協助客戶開發節能的“綠色”產品。“

　　英飛凌專*的無鉛黏晶（芯片粘接） 175μm），為功率半導體提供多項改良：

　　環保的技術：不使用線索及其他有毒物質。

　　擴散焊接黏晶技術結合薄晶圓制程：大幅降低封裝的導通電阻值的RDS（on）。

　　熱阻（RthJC）改善率高達40 - 50％：傳統的軟線索焊料的熱傳導能力不佳，阻礙了​​MOSFET的接面之散熱。

　　其他優點還包括：由于沒有焊錫流量跡（出血）及晶片傾斜（芯片tiltness）的問題，以及更收斂的RDS（ON）與RthJC

　　從新款的OptiMOS T2 40V（如：IPB160N04S4 - 02D，160A）的規格產品得知，其RDS（ON）僅2.0mΩ且RthJC僅0.9K / W相較于使用標準線索焊接的同類產品，其導通電阻降低了約20％的OptiMOS T2的產品擁有同級產品中最佳效能。

　　上市時間

　　OtpiMOS T2為業界率先采用至無鉛封裝的車用電源的MOSFET的，系列產品包括IPB160N04S4 - 02D（160A，TO - 263封裝），IPB100N04S4 - 02D（100A，TO - 263），IPP100N04S4 - 03D（100A，TO - 220 ）以及IPI100N04S4 - 03D（100A，TO - 262）皆已上市。