技術參數：

• Ic(A),Tc=80℃        300

• Vce(sat),Max(V)        2.3

• Ton(us)               0.29

• Toff(us)               0.9

• Rth(j-c),K/W        0.083

• Pc(W)               1800

• 封裝                  62mm

• 電路結構               半橋

性能概要：

• 提高工作結溫Tvjop

• 低VCEsat

• ***的堅固性

• VCEsat帶正溫度系數

• 4KV 交流 1分鐘 絕緣

• 封裝的CTI>400

• 高爬電距離和電氣間隙

• 絕緣的基板

• 符合RoHS標準

優點：

• 靈活性

• ***佳的電氣性能

• ***高的可靠性

目標應用：

• 大功率變流器

• 電機傳動

• UPS系統

• 風力發電機